초록

N+-Si 웨이퍼 위에 절연막을 기른 후 투명 박막트랜지스터(TTFT)를 제작하였다. ZTO막을 고주파 스퍼터링하여 TTFT의 활성층으로 사용하였다. ZTO막의 두께에 따른 TTFT의 이동도, 문턱전압 등의 변화를 조사하였다. ZTO막의 두께가 증가함에 따라 VT가 감소하였다. ZTO막의 두께를 7 nm에서 12 nm로 증가시키면 μs가 5.1 cm2/Vsec에서 27.0 cm2/Vsec로 크게 증가하였으며, 12 nm 이상의 두께에서는 μs가 다시 감소하였다. Subthreshold swing(SS)은 ZTO막의 두께에 비례하여 증가하였다.

Abstract

Transparent thin film transistors were fabricated on n+-Si wafers coated by Al2O3/SiO2. Zinctin oxide (ZTO) films deposited by rf magnetron sputtering were employed for active layers. The mobility(μs), threshold voltage (VT), and sub threshold swing (SS) dependances on ZTO thickness were analyzed. The VT decreased with increasing ZTO thickness. The μs raised from 5.1 cm2/Vsec to 27.0 cm2/Vsec byincreasing ZTO thickness from 7 nm to 12 nm, and then decreased with ZTO thickness above 12 nm. The SS was proportional to ZTO thickness.

• Keywords: Transparent thin film transistors, Zinc tin oxide, Mobility, Threshold voltage, Subthreshold swing