간접천이대를 갖는 2차원 구조의 소자에서 성장방향과 응력조건에 따른 홀인수를 계산하였다. [001] 또는 [111] 성장방향의 경우, 평면상에서 2차원 일정에너지표면의 분포는 등방성을 띈다. 하지만 [110] 성장방향의 경우, 점유된 밸리의 분포는 더 이상 등방성을 띄지 못한다. 이러한 결과는 샘플 평면상에서 홀인수의 이방성의 원인이 된다.
The Hall factor in a two-dimensional device with indirect conduction valleys is calculated for several growth on various strain conditions. In the [001] or [111] growth direction, the two-dimensional constant energy surfaces of occupied valleys are shown to be isotropic ally distributed. However, in the [110] growth direction, the distribution of occupied valleys on the plane is not isotropic. This fact is the reason for the anisotropic Hall factor on the sample plane.
