초록

농도 Si 웨이퍼를 게이트전극으로 사용하여 zinc tin oxide transparent thin film transistor (ZTO TTFT)를 제작하였다. Si 웨이퍼를 산화시켜 SiO2를 기른 후 그 위에 ～30 nm의 Al2O3를 atomic layer deposition으로 성장시켜 게이트절연층으로 사용하였다. Al2O3 증착 후 400℃, 600℃, 800℃ 및 1,000℃에서 급속 열처리하였다. 열처리한 Al2O3/SiO2/Si 웨이퍼 위에 ZTO를 증착하여 TTFT의 활성층으로 사용하였다. 게이트절연층 열처리에 따른 이동도, 문턱전압의 변화를 조사하였다. Al2O3의 성분비 변화를 측정하기 위하여 x-ray photoelectron spectroscopy를 측정하였고, 그 결과를 바탕으로 열처리온도와 ZTO TTFT의 특성과의 연관성을 검토하였다.

Abstract

Zinc tin oxide transparent thin film transistors (ZTO TTFTs) were fabricated on oxidized n+ Si wafers. The thickness of 30 nm Al2O3 films were deposited on the oxidized Si wafers by atomic layer deposition, which acted as the gate insulators of ZTO TTFTs. The Al2O3 films were rapid-annealed at 400 , 600 , 800 , and 1,000 , respectively. Active layers of ZTO films were deposited on the Al2O3/SiO2 coated n+ Si wafers by rf magnetron sputtering. Mobility and threshold voltage were measured as a function of the rapid-annealing temperature. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) were carried out to observe the chemical bindings of Al2O3 films. The annealing effects of gate-insulator on the properties of TTFTs were analyzed based on the results of XPS.

• Keywords: Zinc tin oxide, Transparent thin film transistors, Annealing, XPS