초록

본 연구에서는 흑연과 티타늄의 두 개의 타겟을 이용하여 비대칭 마그네론 스퍼터링을 이용하여 실리콘 기판 위에 TiC 박막을 제작하였다. 100 W~175 W까지 다양한 RF 파워에서 제작되어진 TiC 박막의 물리적, 전기적 특성을 고찰하였다. 제작된 TiC 박막의 경도와 표면 특성은 RF 파워의 증가에 따라 향상되었으며, 최대 경도값은 24 GPa, 최소 표면거칠기값은 1.2 nm 값을 나타내었다. 또한, TiC 박막의 비저항값은 RF 파워의 증가에 따라 감소하였다. 결론적으로 TiC 박막의 물리적, 전기적 특성은 RF 파워에 따라 향상되었다.

Abstract

TiC thin films were deposited on Si wafer by unbalanced magnetron sputtering (UBMS) system with two targets of graphite and titanium. During the TiC sputtering, the RF power was varied from 100 W to 175 W and the physical and electrical properties of TiC films were investigated. The hardness and rms surface roughness of TiC films were improved with increasing RF power and the maximum hardness about 24 GPa and the minimum rms surface roughness about 1.2 nm were obtained. The resistivity of TiC films was decreased with increasing RF power. Consequently, the physical and electrical properties of TiC film wewe improved with increasing RF power.

• Keywords: TiC, Unbalanced magnetron sputtering, Hardness, RMS surface roughness, Resistivity