얇은 금속 박막을 이용한 쇼트키 소자를 제작하였으며, 효과적인 광전소자로서의 성능을 검증하였다. 10 nm 정도의 얇은 두께의 금속을 한면이 연마된 n-type 실리콘 (111) 증착하였으며, 실리콘 기판은 450∼500 ㎛ 두께를 가지며, 비저항은 1∼20 Ω·㎝의 범위에 있다. Ni-쇼트키 소자는 정류율이 100에 이를 정도로 우수한 다이오드 특성을 보였다. 이러한 금속과 반도체의 이종접합을 이용한 쇼트키 소자는 고성능 광전소자에 쓰일 수 있을 것으로 판단된다.
A thin metal-embedding Schottky device was fabricated for an efficient photoelectric device. Semitransparent thick of 10 nm metal layers were deposited by sputtering of Ag and Ni on a Sisubstrate. The (111) N-type Si wafers with one-side polished, 450∼500 ㎛ and resistivity 1∼20 Ω·㎝were used. High rectifying ratio about 100 from Ni-Schottky device was achieved. This design wouldprovide an effective scheme for high-performing photoelectric devices.
