본 논문은 반복 펄스에 의한 NPN BJT (Bipolar Junction Transistor)의 피해 효과를 알아보았다. 1 ns의 상승시간과 최대전압 2 kV인 펄스 발생장치를 사용하여 주입하였다. 트랜지스터의 베이스에 펄스를 주입하여 실험을 진행하였다. 펄스주입에 의해 파괴된 트랜지스터는 베이스전원 미인가 시에도 전류가 흐르는 현상이 발생하였다. 트랜지스터의 파괴 원인은 과전류에 의한 열적파괴이다. 트랜지스터가 파괴되기 시작하는 전압은 단일펄스의 경우 975 V이고, 반복 펄스에서는 525~575 V이다. 펄스의 반복률이 증가할수록 DT (Destruction Threshold)가 감소하는 것을 확인할 수 있었다. 또한 펄스의 반복률이 높을수록 트랜지스터 파괴의 정도가 더 심하였다.
This paper examines the destruction behavior of NPN BJT (bipolar junction transistor) by repetition pulse. The injected pulse has a rise time of 1 ns and the maximum peak voltage of 2 kV. Pulse was injected into the base of transistor. Transistor was destroyed, current flows even when the base power is turned off. Cause the destruction of the transistor is damaged by heat. Breakdown voltage of the transistor is 975 V at single pulse, and repetition pulse is 525∼575 V. Pulse repetition rate increases, the DT (destruction threshold) is reduced. Pulse Repetition rate is high, level of transistor destruction is more serious.
