액정 배향 공정을 간소화시키기 위하여 러빙 법, 이온빔 조사 법, UV 조사 법 등 몇몇 방법이 사용되어져 왔으나 이러한 배향 법 또한 추가 공정을 필요로 한다. 이에 저온에서 Si을 사용하여 액정을 배향시키는 신규 배향 방법을 고안하였다. 이 배향 법을 이용하여 배향 공정을 간소화 시킬 수 있었고, 러빙 처리한 PI 배향법과 비교하여 동등한 수준의 액정 배향 상태와 전압 투과율 특성을 확인하였다. 또한 러빙 처리한 PI 배향 법 보다 70% 이상 빠른 응답 특성과 0에 가까운 잔류 DC 전압을 구현하였다.
Apart from the deposition of alignment layer, alignment process needs to be involved for alignment of liquid crystal (LC) molecules. To simplify manufacturing process, several method were used such as rubbing, ion-beam irradiation, UV irradiation, and lithography. But, eventually it needs another treatment for LC alignment. Here, we suggested Si induced polyimide (PI) alignment layer at low temperature. Using this method, we are able to eliminate the alignment process and found that the alignment and electro-optic performance are much better than that of the rubbed PI LC cells. Compared to the rubbed PI cells, the response time was decreased by 70% and C-V characteristics have hysteresis-free.
